通道是指內存控制器與內存模塊之間的一個獨立的數據路徑。在多通道內存技術中，多個通道可以并行工作，從而顯著提高內存帶寬，進而提升系統性能。現代CPU通常支持雙通道、四通道甚至更多通道的設計。

通過并行使用多個通道，可以有效減少內存訪問的瓶頸，特別是在處理大量數據傳輸的任務時，多通道設計能夠顯著提高數據傳輸速度，使系統在執行多任務或多線程應用時表現得更加流暢。

一個通道可以包含一個或多個DIMM。例如，在雙通道系統中，可以有兩個DIMM分別連接到兩個獨立的通道上，使得數據可以同時從兩個不同的DIMM中讀取或寫入。

DIMM是一種標準的內存模塊形式，它通過插入主板上的插槽來與系統通信。每個DIMM模塊通常包含多個內存顆粒（Chips），并且可能包含一個或多個Rank。

DIMM作為內存的物理載體，不僅負責存儲數據，還通過其上的電路設計實現了與內存控制器之間的高效數據傳輸。不同類型的DIMM（如UDIMM、RDIMM、LRDIMM等）適用于不同的應用場景。

一個DIMM可以包含一個或多個Rank，以及多個Chip。例如，一個DIMM可能包含兩個Rank，每個Rank上有多個Chip。

Rank是DIMM上的一個獨立的內存地址空間，每個Rank由一定數量的內存顆粒組成。在同一個DIMM上，可以存在一個或多個Rank，它們之間可以并行工作。

通過允許多個Rank并行工作，可以進一步提高內存帶寬，這對于需要大量數據吞吐的應用場景尤其重要。

一個DIMM可以包含一個或多個Rank。例如，一個DIMM可能包含兩個Rank，這意味著該DIMM實際上由兩個獨立的內存區域組成。

Chip是構成內存條的基本單元，每個Chip負責存儲一部分數據。一個Chip通常包含多個Bank。

內存顆粒是實際存儲數據的地方，每個顆粒有自己的地址和數據線，負責執行具體的讀寫操作。

一個Rank可以包含多個Chip。例如，一個Rank可能由8個Chip組成，每個Chip負責存儲一部分數據。

Bank是內存中的一個邏輯存儲單元，可以看作是內存中的一個獨立的存儲區域。每個Bank包含多個Row和Column，形成一個二維數組結構。

通過允許多個Bank并行工作，可以進一步提高內存訪問速度。這是因為當一個Bank正在執行讀取或寫入操作時，另一個Bank可以同時進行其他操作。

一個Rank可以包含多個Bank。例如，一個Rank可能包含8個Bank，每個Bank負責一部分存儲空間。

Row：內存中的行是指存儲在一個Bank內的數據單元的垂直排列。

Column：內存中的列是指存儲在一個Bank內的數據單元的水平排列。

通過組合行地址和列地址，可以定位到內存中的具體數據單元。這是實現隨機訪問存儲器（RAM）功能的基礎。

一個Bank可以包含多個Row和Column。例如，一個Bank可能包含數千行和數千列，每個交叉點代表一個存儲單元（Cell）。

最頂層：Channel

一個Channel可以包含一個或多個DIMM。

次層級：DIMM

一個DIMM可以包含一個或多個Rank。

再下一層：Rank

一個Rank可以包含多個Bank。同時，一個Rank也可以包含多個Chip。

更細粒度：Bank

一個Bank可以包含多個Row和Column。

最底層：Row（行）與 Column（列）

行和列共同定義了內存中的具體數據單元的位置。

籠統上講從大到小為：channel>DIMM>rank>chip>bank>row/column

多rank允許每個rank中有多個打開的 DRAM pages（row）（通常每個rank有8個row）。這增加了命中已經打開的row地址的可能性。性能提升高度依賴于應用程序和內存控制器利用打開row的能力。

多rank在數據總線上具有更高的負載（在無緩沖 DIMM CA 總線也一樣）。因此，如果一個通道中連接了多個dual-rank DIMM，速度可能會降低。

受限于某些限制，可以獨立訪問rank，但不能同時訪問，因為數據線仍然在通道上的列之間共享。例如，控制器可以在等待從一個rank中讀取的數據時，將寫入數據發送到一個rank。當寫入數據從數據總線消費時，另一rank可以執行與讀取相關的操作，例如激活一行或將數據從內部傳輸到輸出驅動器。一旦 CA 總線沒有了來自前一次讀取的噪聲，DRAM 就可以驅動讀取數據。像這樣控制交錯訪問是由內存控制器完成的。

CPU 可以訪問一個rank，而另一個rank可以進行刷新周期（準備好被訪問）。刷新周期的屏蔽和流水線通常會為CPU 密集型應用程序帶來更好的性能，因為它減少了內存響應時間。但是訪問不同rank在某些情況下會導致流水線停滯，從而降低性能。因此，多級rank的整體影響因應用程序而異。